专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：半导体及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：R·G·菲立皮,E·卡尔塔利奥古鲁,李伟健,王平川,张丽
娟
申请号：CN201410365965.0申请日：20140729公开号：CN104347493A公开日：20150211
摘要：本发明涉及半导体及其制造方法。公开了用于防止由于电迁移和时间相关的电介质击穿而导致集成电路失效的方法和结构。以比(针对短长度效应的)临界长度小的金属盖片段之间的间隔距离在金属(通常是铜Cu)互连线上选择性形成随机图案化的金属盖层。由于Cu/金属盖界面的扩散性低于Cu/电介质盖界面的扩散性，因此具有金属盖的区域用作扩散势垒。
申请人：国际商业机器公司
地址：美国纽约
国籍：US
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：王莉莉
更多信息请下载全文后查看