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专利名称：半导体存储器件专利类型：发明专利发明人：蔡炅敏,金珉秀申请号：CN201610329737.7申请日：20160518公开号：CN106816168A公开日：20170609
摘要：一种半导体存储器件包括：第一存储体和第二存储体；地址计数器单元，包括第一地址计数器和第二地址计数器，第一地址计数器适用于输出与第一存储体相对应的第一计数地址信号，第二地址计数器适用于输出与第二存储体相对应的第二计数地址信号；第一输出控制单元，适用于在数据输入操作期间响应于第一计数地址信号而产生第一列地址信号，以及在数据输出操作期间响应于第二计数地址信号而产生第一列地址信号；以及第二输出控制单元，在数据输入操作和数据输出操作期间响应于第二计数地址信号而产生第二列地址信号。
申请人：爱思开海力士有限公司
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)
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