（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）实用新型专利
（21）申请号 CN2015201442.X （22）申请日 2015.11.10
（71）申请人 中国兵器工业新技术推广研究所;北京中北创新科技发展有限公司
地址 1000 北京市海淀区车道沟10号院
（10）申请公布号 CN205092571U
（43）申请公布日 2016.03.16
（72）发明人 周成龙;李子森;刘强;郭艳辉;丁永平;王添文;党丽;苏醒;杨宝山 （74）专利代理机构 中国兵器工业集团公司专利中心
代理人 刘东升
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
基于PMOS管的直流瞬态浪涌电压抑制电路
（57）摘要
本实用新型涉及一种基于PMOS管的直流
瞬态浪涌电压抑制电路，属于电子设备保护电路领域。本实用新型由三端可调分流基准源和光电耦合器为核心组成采样反馈控制电路，原理简单，易于实现，产品可靠性高，结构紧凑，体积较小，导通内阻低，发热量小，电压降小。
法律状态
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
法律状态公告日
2016-03-16 2016-03-16 2017-12-22
授权 授权
法律状态信息
授权 授权
法律状态
专利权的终止 专利权的终止
权利要求说明书
基于PMOS管的直流瞬态浪涌电压抑制电路的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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