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专利名称：基于氮化物的半导体器件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：朴基烈,全祐徹,朴永焕申请号：CN201110319165.1申请日：20111019公开号：CN102569423A公开日：20120711
摘要：本文公开了一种基于氮化物的半导体器件及其制造方法。该基于氮化物的半导体器件包括：基底；设置在基底上并且在其内部产生二维电子气的外延生长层；以及设置在外延生长层上的电极结构。其中，该电极结构包括：栅极；设置在栅极的一侧的源极；以及设置在栅极的另一侧并具有延伸至外延生长层的内部以接触二维电子气的延伸部的漏极。
申请人：三星电机株式会社
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京康信知识产权代理有限责任公司
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