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专利名称：一种CZTSSe薄膜的硫化物靶材共溅射制备方法及
产品
专利类型：发明专利发明人：朱成军,刘倩,吕笑公申请号：CN201510262416.5申请日：20150521公开号：CN104947050A公开日：20150930
摘要：一种CZTSSe薄膜的硫化物靶材共溅射制备方法及产品，一种铜锌锡硫硒(CuZnSn(SSe),简称CZTSSe)薄膜吸收层的共溅射制备方法，包括如下步骤：(1)在钠钙玻璃衬底上，利用硫化物靶材采用共溅射工艺制备Cu-Zn-Sn-S前驱体预制膜。(2)对共溅射所得的Cu-Zn-Sn-S前驱体预制膜，采用无硫化的直接高温退火处理，制备铜锌锡硫(CuZnSnS,简称CZTS)薄膜吸收层。(3)采用步骤(2)中优化后的制备工艺方案制备Cu-Zn-Sn-S前驱体预制膜，并采用固体硒源(Se粉)硒化退火工艺，制备CZTSSe薄膜吸收层。所得到的产品CZTS和CZTSSe薄膜都具有较高的光吸收系数，是较为理想的薄膜太阳能电池材料。
申请人：内蒙古大学
地址：010021 内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西路235号
国籍：CN
代理机构：北京迎硕知识产权代理事务所(普通合伙)
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